MOS管应亚阈值效应，亚阈值效应又称为弱反型效应。到目前为止，我们均假定当加在MOS管棚极上的电压超过阈值电压时，表面反型，沟道立即形成，这称为强反型近似。采用强反型近似模型计算阈值电压时，半导体表面势ф 等于费米势ф 1的二倍（ф=2ф 1）。根据强反型近似模型，漏源输出电流ID与VGS的关系如图1.4-4中的实线所示。实际上，弱反型区产生了电流ID，即当ф=2ф 1（VGS>VT）时，已经开
MOS管应亚阈值效应，亚阈值效应又称为弱反型效应。到目前为止，我们均假定当加在MOS管棚极上的电压超过阈值电压时，表面反型，沟道立即形成，这称为强反型近似。采用强反型近似模型计算阈值电压时，半导体表面势ф 等于费米势ф 1的二倍（ф=2ф 1）。根据强反型近似模型，漏源输出电流ID与VGS的关系如图1.4-4中的实线所示。实际上，弱反型区产生了电流ID，即当ф=2ф 1（VGS>VT）时，已经开
MOS管狭沟道效应，以上给出了MOS场效应管的一级近似模拟，并在近似条件下推导出一些重要的关系式，这些无疑对分析和设计MOS电路是非常重要的。但随着MOS集成电路的集成度和速度的提高，器件尺寸越做越小，沟道长度越来越短，由此产生短沟道效应，使阈值电压下降，这就需要对阈值电压关系式进行修正。此外，例如温度变化，使MOS器件性能发生变化等。为了提高设计的精确性，本节将介绍些MOS器件的二级效应，并给出
MOS管狭沟道效应，以上给出了MOS场效应管的一级近似模拟，并在近似条件下推导出一些重要的关系式，这些无疑对分析和设计MOS电路是非常重要的。但随着MOS集成电路的集成度和速度的提高，器件尺寸越做越小，沟道长度越来越短，由此产生短沟道效应，使阈值电压下降，这就需要对阈值电压关系式进行修正。此外，例如温度变化，使MOS器件性能发生变化等。为了提高设计的精确性，本节将介绍些MOS器件的二级效应，并给出
MOS管短沟道效应以上给出了MOS场效应管的一级近似模拟，并在近似条件下推导出一些重要的关系式，这些无疑对分析和设计MOS电路是非常重要的。但随着MOS集成电路的集成度和速度的提高，器件尺寸越做越小，沟道长度越来越短，由此产生短沟道效应，使阈值电压下降，这就需要对阈值电压关系式进行修正。此外，例如温度变化，使MOS器件性能发生变化等。为了提高设计的精确性，本节将介绍些MOS器件的二级效应，并给出
MOS管短沟道效应以上给出了MOS场效应管的一级近似模拟，并在近似条件下推导出一些重要的关系式，这些无疑对分析和设计MOS电路是非常重要的。但随着MOS集成电路的集成度和速度的提高，器件尺寸越做越小，沟道长度越来越短，由此产生短沟道效应，使阈值电压下降，这就需要对阈值电压关系式进行修正。此外，例如温度变化，使MOS器件性能发生变化等。为了提高设计的精确性，本节将介绍些MOS器件的二级效应，并给出
MOSFET的交流小信号模型，前面讨论了MOS场效应管的大信号模型，我们可以从MOS管大信号模型推导出MOS场效应管的交流小信号模型。图1.3-9即是从图1.3-1b演变而来的MOS场效应管的交流小信号模型。
MOSFET的交流小信号模型，前面讨论了MOS场效应管的大信号模型，我们可以从MOS管大信号模型推导出MOS场效应管的交流小信号模型。图1.3-9即是从图1.3-1b演变而来的MOS场效应管的交流小信号模型。
MOS电容模型，MOS管大信号模型（见图1.3-1b）中的五个电容，其image.png和image.png为image.png结势垒电容，image.png、image.png和image.png为栅极电容，这些电容分布如图1.3-7a、b所示，下面分两种类型来讨论它们的模型。
MOS电容模型，MOS管大信号模型（见图1.3-1b）中的五个电容，其image.png和image.png为image.png结势垒电容，image.png、image.png和image.png为栅极电容，这些电容分布如图1.3-7a、b所示，下面分两种类型来讨论它们的模型。
MOS场效应管的直流特性，n沟增强型MOS为例，讨论沟道夹断前（即在线性区时）MOS管的电流-电压特性。在线性区，漏电压VD比栅电压VG小。n沟MOS管的立体图如图1.3-2所示。从源极到漏极形成反型层沟道，沟道的宽度W与沟道的长度L是定值，沟道厚度image.png小于氧化层厚度tox，沟道的立体图画在图的右面，Y方向为电流ID的流向。
MOS场效应管的直流特性，n沟增强型MOS为例，讨论沟道夹断前（即在线性区时）MOS管的电流-电压特性。在线性区，漏电压VD比栅电压VG小。n沟MOS管的立体图如图1.3-2所示。从源极到漏极形成反型层沟道，沟道的宽度W与沟道的长度L是定值，沟道厚度image.png小于氧化层厚度tox，沟道的立体图画在图的右面，Y方向为电流ID的流向。
MOS场效应管模型，在分析和设计MOS大规模集成电路中，计算机辅助电路模拟已成为电路设计的基本方法，电路模拟中所用的MOS场效应管模型及所取模型参数的精度，对计算机辅助设计和分析电路的结果都有很大的影响，它关系到设计值与实际值是否一致，因此，对于MOS场效应管模型的研究正在广泛地开展并且逐步地深入，电路模拟中所用的场效应管模型也在不断地修正.SPICE是电路模拟中应用最广泛的一种计算机电路分析程序
MOS场效应管模型，在分析和设计MOS大规模集成电路中，计算机辅助电路模拟已成为电路设计的基本方法，电路模拟中所用的MOS场效应管模型及所取模型参数的精度，对计算机辅助设计和分析电路的结果都有很大的影响，它关系到设计值与实际值是否一致，因此，对于MOS场效应管模型的研究正在广泛地开展并且逐步地深入，电路模拟中所用的场效应管模型也在不断地修正.SPICE是电路模拟中应用最广泛的一种计算机电路分析程序
由许多MOS管所构成的MOS集成电路中，很多管子做在同一块衬底上，这时就不能把所有MOS管的源极与公共的衬底相连，势必有些管子的衬底相对源极加上了一个反向偏置电压image.png，由于image.png电压的影响，使增强型MOS管的开启电压增大，而使耗尽型管向增强型管的方向变化，n沟MOS管衬底加偏置的情况
由许多MOS管所构成的MOS集成电路中，很多管子做在同一块衬底上，这时就不能把所有MOS管的源极与公共的衬底相连，势必有些管子的衬底相对源极加上了一个反向偏置电压image.png，由于image.png电压的影响，使增强型MOS管的开启电压增大，而使耗尽型管向增强型管的方向变化，n沟MOS管衬底加偏置的情况
实际MOS管与理想MOS管的差别在于，需要考虑氧化层中正电荷N沟道MOS场效应管的阈值电压（单位面积）以及金属与半导体之间接触电势差image.png，所带来的影响。1、在硅与氧化层界面上始终存在着由于杂质沾污或缺陷所形成的正电荷image.png，它相当于增加了栅极电压，实际上使阈值电压增加了一项负值
实际MOS管与理想MOS管的差别在于，需要考虑氧化层中正电荷N沟道MOS场效应管的阈值电压（单位面积）以及金属与半导体之间接触电势差image.png，所带来的影响。1、在硅与氧化层界面上始终存在着由于杂质沾污或缺陷所形成的正电荷image.png，它相当于增加了栅极电压，实际上使阈值电压增加了一项负值
所谓理想MOS管就是假定栅氧化层中不存在正电荷，金属栅极和半导体之间不能交换电子（即不考虑金属与半导体之间的接触电势差）。对于图1.2-5所示的理想n沟MOS管（衬底是P型硅），在栅极上加以电压VGS时，则有一部分电压image.png降落在氧化层上，另一部分电压 ф 降落在半导体表面。
所谓理想MOS管就是假定栅氧化层中不存在正电荷，金属栅极和半导体之间不能交换电子（即不考虑金属与半导体之间的接触电势差）。对于图1.2-5所示的理想n沟MOS管（衬底是P型硅），在栅极上加以电压VGS时，则有一部分电压image.png降落在氧化层上，另一部分电压 ф 降落在半导体表面。
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