MOS管偏置电路，在MOS模拟集成电路中，偏置电路是不可缺少的重要组成部分。偏置电路与上一节恒流源电路密切相关。在第二节，我们对恒流源电路的恒流特性及输出阻抗进行了讨论，而对如何实现参考电流IR没有进行说明，这一节，将重点讨论参考电流源IR如何实现。IR决定后，就可根据沟道的宽长比（W/L）设计出所需要的恒流源电流IO。
MOS管偏置电路，在MOS模拟集成电路中，偏置电路是不可缺少的重要组成部分。偏置电路与上一节恒流源电路密切相关。在第二节，我们对恒流源电路的恒流特性及输出阻抗进行了讨论，而对如何实现参考电流IR没有进行说明，这一节，将重点讨论参考电流源IR如何实现。IR决定后，就可根据沟道的宽长比（W/L）设计出所需要的恒流源电流IO。
恒流源电路，上述改进的恒流源电路虽提高了输出阻抗、改善了恒流性能，但作为有源负载时，输出摆幅较小，这是因为输出级采用串级形式，进入饱和区的电压（Vo）较大，现以图2.2-2恒流源电路为例，进行说“为讨论方便起见，电路重画如图2.2-6a所示。此时输出电压（Vo）-输出电流（Io）的特性曲线如图2.2-6b所示。图中M2管的漏源电压image.png，等于栅源电压恒流源电路恒流源电路，M1管的漏源饱
恒流源电路，上述改进的恒流源电路虽提高了输出阻抗、改善了恒流性能，但作为有源负载时，输出摆幅较小，这是因为输出级采用串级形式，进入饱和区的电压（Vo）较大，现以图2.2-2恒流源电路为例，进行说“为讨论方便起见，电路重画如图2.2-6a所示。此时输出电压（Vo）-输出电流（Io）的特性曲线如图2.2-6b所示。图中M2管的漏源电压image.png，等于栅源电压恒流源电路恒流源电路，M1管的漏源饱
威尔逊恒流源特性，如图2.2-4所示。由于负反馈作用使该电路具有很高的输出阻抗和良好的恒流特性。同样可用交流小信号等效电路求出该电路输出阻抗ro在不考虑M1管衬底偏置效应的情况下，ro可写成：
威尔逊恒流源特性，如图2.2-4所示。由于负反馈作用使该电路具有很高的输出阻抗和良好的恒流特性。同样可用交流小信号等效电路求出该电路输出阻抗ro在不考虑M1管衬底偏置效应的情况下，ro可写成：
高输出阻抗的恒流源电路，如图2.2-2所示。它与图2.2-1恒流源电路相比增加了MOS管M2、M4。由于增加了M3、M4管，使该恒流源电路具有很好的恒流特性及高的输出阻抗ro.由图可知M3和M4管使M1管的VDS，和M2管的Vos，相同或近似相同。
高输出阻抗的恒流源电路，如图2.2-2所示。它与图2.2-1恒流源电路相比增加了MOS管M2、M4。由于增加了M3、M4管，使该恒流源电路具有很好的恒流特性及高的输出阻抗ro.由图可知M3和M4管使M1管的VDS，和M2管的Vos，相同或近似相同。
MOS恒流源电路在MOS模拟集成电路中，恒流源电路常作为偏置电路以及作为放大器的有源负载.模拟集成电路性能的优劣常与恒流源电路的恒流特性密切相关。MOS场效应管恒流源的电路形式与双极型晶体管电路基本相似。现介绍种常用的MOS管恒流源电路。（一）基本的恒流源电路基本的但流源电路如图2.2-1所示，图中的IR为参考电流，IO为输出电流。MOS管M1工作在饱和区（VDS=VGS），若MOS管M2的，那么
MOS恒流源电路在MOS模拟集成电路中，恒流源电路常作为偏置电路以及作为放大器的有源负载.模拟集成电路性能的优劣常与恒流源电路的恒流特性密切相关。MOS场效应管恒流源的电路形式与双极型晶体管电路基本相似。现介绍种常用的MOS管恒流源电路。（一）基本的恒流源电路基本的但流源电路如图2.2-1所示，图中的IR为参考电流，IO为输出电流。MOS管M1工作在饱和区（VDS=VGS），若MOS管M2的，那么
MOS场效应三极管连接方式的有源电阻解析1、源极交流接地图2.1-6a、b分别表示N沟，P沟增强型MOS管的源极交流接地·的有源电阻。（1）饱和区（VDS≥VG-VT）有源电阻ro为（2）线性区（VDS VG-VT）有源ro电阻为2、漏极交流接地图2.1-7a、b分别表示N沟、P沟增强型MOS管的漏极交流接地的有源电阻。根据小信号交流等效电路，很容易求得ro为工作在饱和区时，，上式可写为工作在非饱
MOS场效应三极管连接方式的有源电阻解析1、源极交流接地图2.1-6a、b分别表示N沟，P沟增强型MOS管的源极交流接地·的有源电阻。（1）饱和区（VDS≥VG-VT）有源电阻ro为（2）线性区（VDS VG-VT）有源ro电阻为2、漏极交流接地图2.1-7a、b分别表示N沟、P沟增强型MOS管的漏极交流接地的有源电阻。根据小信号交流等效电路，很容易求得ro为工作在饱和区时，，上式可写为工作在非饱
N沟道耗尽型作为有源电阻，其连接方式（即栅源短接）和V-I特性分别如图2.1-4、b所示。N沟道耗尽型作为有源电阻由图可知，当管子进入饱和区后，漏源两端阻抗为高阻抗。用图2.1-5交流小信号等效电路，可求得漏源端的等效阻抗ro。
N沟道耗尽型作为有源电阻，其连接方式（即栅源短接）和V-I特性分别如图2.1-4、b所示。N沟道耗尽型作为有源电阻由图可知，当管子进入饱和区后，漏源两端阻抗为高阻抗。用图2.1-5交流小信号等效电路，可求得漏源端的等效阻抗ro。
MOS管栅漏有源电阻，MOS模拟集成电路中MOS场效应管的主要应用有以下三个方面：其一是作为放大器的有源负载，以提高放大器的增益和电路的集成度；其二是作为可变的线性电阻，以实现放大器的增益控制或控制振荡器的反馈强弱；其三是作为等效电阻构成分压电路等。MOS管的有源电阻有如下几种形式。
MOS管栅漏有源电阻，MOS模拟集成电路中MOS场效应管的主要应用有以下三个方面：其一是作为放大器的有源负载，以提高放大器的增益和电路的集成度；其二是作为可变的线性电阻，以实现放大器的增益控制或控制振荡器的反馈强弱；其三是作为等效电阻构成分压电路等。MOS管的有源电阻有如下几种形式。
短沟道MOS阈值电压模型，MOS场效应管的主要参数关系式和工艺参数如下（详见参考文献[12]），为扩散深度（结深），短沟道MOS阈值电压模型a为扩散的横向修正系数。
短沟道MOS阈值电压模型，MOS场效应管的主要参数关系式和工艺参数如下（详见参考文献[12]），为扩散深度（结深），短沟道MOS阈值电压模型a为扩散的横向修正系数。
MOS管阈值电压温度效应，为了使MOS场效应管在一定的温度范围内能稳定可靠地工作，在设计时必须考虑适应其参数随温度的变化，半导体器件一般的工作温度范围有两种：一种是军用范围，通常为-55~+125℃；另一种是民用范围，一般为-25~85℃。因此，要根据不同的使用情况，来确定对场效应管温度性能的要求。MOS场效应管性能随温度的变化最主要表现在阈值电压VT及载流子迁移率随温度的变化
MOS管阈值电压温度效应，为了使MOS场效应管在一定的温度范围内能稳定可靠地工作，在设计时必须考虑适应其参数随温度的变化，半导体器件一般的工作温度范围有两种：一种是军用范围，通常为-55~+125℃；另一种是民用范围，一般为-25~85℃。因此，要根据不同的使用情况，来确定对场效应管温度性能的要求。MOS场效应管性能随温度的变化最主要表现在阈值电压VT及载流子迁移率随温度的变化
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