CMOS互补输出级，可以利用CMOS器件构成与双极型电路相类似的互补输出级形式，如图2.6-20所示，图中M1、M2构成互补输出级，M3、M4是它们的偏置电路。但是正如以上所述，这种电路的输出电阻是比较大的，而且其输出电压的摆幅也不够大。该电路输出电压的摆幅不是简单地等于正、负电源电压减去每个MOS管的阈值电压。由于衬底偏置效应，使输出管的阀值电压image.png随输出电压增大而增大，输出摆
CMOS互补输出级，可以利用CMOS器件构成与双极型电路相类似的互补输出级形式，如图2.6-20所示，图中M1、M2构成互补输出级，M3、M4是它们的偏置电路。但是正如以上所述，这种电路的输出电阻是比较大的，而且其输出电压的摆幅也不够大。该电路输出电压的摆幅不是简单地等于正、负电源电压减去每个MOS管的阈值电压。由于衬底偏置效应，使输出管的阀值电压image.png随输出电压增大而增大，输出摆
MOS输出级电路，设计运算放大器的输出级时，要考虑它驱动负载的能力（在MOS电路中，负载主要是电容）、输出动态幅度、输出阻抗以及频率特性。好的输出级电路，应具有强的驱动能力、低的输出阻抗，大的输出幅度和较好的频率特性。
MOS输出级电路，设计运算放大器的输出级时，要考虑它驱动负载的能力（在MOS电路中，负载主要是电容）、输出动态幅度、输出阻抗以及频率特性。好的输出级电路，应具有强的驱动能力、低的输出阻抗，大的输出幅度和较好的频率特性。
NMOS差分放大器，要提高NMOS差分放大器增益，M3、M4可用耗尽型器件，但NMOS差分放大器的电压增益比CMOS差分放大器的电压增益低得多，所以一般都采用CMOS差分放大器。关于NMOS差分放大器的失调电压、噪声以及共模性能的分析类似于CMOS差分放大器
NMOS差分放大器，要提高NMOS差分放大器增益，M3、M4可用耗尽型器件，但NMOS差分放大器的电压增益比CMOS差分放大器的电压增益低得多，所以一般都采用CMOS差分放大器。关于NMOS差分放大器的失调电压、噪声以及共模性能的分析类似于CMOS差分放大器
CMOS差分放大器，差分放大器的工作电流由电流源IO所提供。显然，这种电路工作原理同图2.5-3的电路是一样的，但衬底效应不同，如果CMOS工艺采用N型衬底，那么P沟MOS管的衬底一定要接在电路最正电位上（VDD），然而，N沟MOS管的衬底不一定接在电路最负电位（Vss），其方法是，N沟MOS管做在单独形成的P阱上，使P阱同MOS管的源极相连接，这样消除了衬底端置效应。如图2.5-3中的M；和M2
CMOS差分放大器，差分放大器的工作电流由电流源IO所提供。显然，这种电路工作原理同图2.5-3的电路是一样的，但衬底效应不同，如果CMOS工艺采用N型衬底，那么P沟MOS管的衬底一定要接在电路最正电位上（VDD），然而，N沟MOS管的衬底不一定接在电路最负电位（Vss），其方法是，N沟MOS管做在单独形成的P阱上，使P阱同MOS管的源极相连接，这样消除了衬底端置效应。如图2.5-3中的M；和M2
MOS管差分对管主要特性，MOS差分对管如图2.5-1所示。图中的M1和M2是完全对称（匹配）的，其工作电流（ID1、ID2）由电流源IO提供。输出电流ID1、ID2的大小依赖于输入电压的差值（VG1-VG2），但ID1和ID2之和恒等于电流源IO，在M1和M2的漏极分别接上电阻负载或MOS管有源负载，即构成差分放大器，由电流输出转换成电压输出，实现电压放大。
MOS管差分对管主要特性，MOS差分对管如图2.5-1所示。图中的M1和M2是完全对称（匹配）的，其工作电流（ID1、ID2）由电流源IO提供。输出电流ID1、ID2的大小依赖于输入电压的差值（VG1-VG2），但ID1和ID2之和恒等于电流源IO，在M1和M2的漏极分别接上电阻负载或MOS管有源负载，即构成差分放大器，由电流输出转换成电压输出，实现电压放大。
CMOS单级放大器图2.4-1c、dCMOS单级放大器与图2.4-1a、bNMOS单级放大器相比，有较高的电压增益和较低的功耗，增益一般可达500~1000，基于它的优点，近几年来CMOS模拟集成电路有较大的发展。在图2.4-1c所示的CMOS单级放大器中，有源负载M2管通常与偏置电路构成电流源电路，M2管作为有源负载。其电路形式如图2.4-5所示，为简单起见，假设M1与M2的沟道宽长比相等。
CMOS单级放大器图2.4-1c、dCMOS单级放大器与图2.4-1a、bNMOS单级放大器相比，有较高的电压增益和较低的功耗，增益一般可达500~1000，基于它的优点，近几年来CMOS模拟集成电路有较大的发展。在图2.4-1c所示的CMOS单级放大器中，有源负载M2管通常与偏置电路构成电流源电路，M2管作为有源负载。其电路形式如图2.4-5所示，为简单起见，假设M1与M2的沟道宽长比相等。
NMOS单级放大器，1、全增强型NMOS 放大器（图2.4-1a）（1）放大器的输入-输出传输特性曲线，放大器有三种工作状态：i、M1管的输入电压image.png小于开启电压image.png时，即image.png管均截止，输出电压VO为高电位。M2管截止时，有NMOS单级放大器，输出电压VO值在VDD-VT1<VO<VDD范围内。
NMOS单级放大器，1、全增强型NMOS 放大器（图2.4-1a）（1）放大器的输入-输出传输特性曲线，放大器有三种工作状态：i、M1管的输入电压image.png小于开启电压image.png时，即image.png管均截止，输出电压VO为高电位。M2管截止时，有NMOS单级放大器，输出电压VO值在VDD-VT1<VO<VDD范围内。
MOS单级放大器，在MOS（NMOS和CMOS）运算放大器或其他模拟电路中，有源负载的共源MOS放大器应用得最普遍，其常用的电路形式有四种，如图2.4-1a~d所示。（1）图2.4-1a电路称为全增强型NMOS单级放大器。图中的增强型n沟MOS管M2作为增强型n沟MOS管M1的有源负载。（2）图2.4-1b称为增强型-耗尽型NMOS单级放大器。图中的耗尽型n沟MOS管M2作为增强型n沟MOS管M2
MOS单级放大器，在MOS（NMOS和CMOS）运算放大器或其他模拟电路中，有源负载的共源MOS放大器应用得最普遍，其常用的电路形式有四种，如图2.4-1a~d所示。（1）图2.4-1a电路称为全增强型NMOS单级放大器。图中的增强型n沟MOS管M2作为增强型n沟MOS管M1的有源负载。（2）图2.4-1b称为增强型-耗尽型NMOS单级放大器。图中的耗尽型n沟MOS管M2作为增强型n沟MOS管M2
CMOS管的偏置电路，所谓CMOS偏置电路，就是将图2.3-1中的偏置电阻image.png，用P沟MOS管来代替，其电路形式如图2.3-5所示，在1CMOS运算放大器以及其他的MOS模拟电路中，偏置电路一般采用图2.3-5的电路形式。
CMOS管的偏置电路，所谓CMOS偏置电路，就是将图2.3-1中的偏置电阻image.png，用P沟MOS管来代替，其电路形式如图2.3-5所示，在1CMOS运算放大器以及其他的MOS模拟电路中，偏置电路一般采用图2.3-5的电路形式。
NMOS管的偏置电路分析及及解读过程，NMOS管的偏置电路有两种，一种是用增强型管作为等效电阻的偏置电路，另一种是用耗尽型管作为等效电阻的偏置电路，电路形式分别如图2.3-2，图2.3-3所示。
NMOS管的偏置电路分析及及解读过程，NMOS管的偏置电路有两种，一种是用增强型管作为等效电阻的偏置电路，另一种是用耗尽型管作为等效电阻的偏置电路，电路形式分别如图2.3-2，图2.3-3所示。
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