解析制作微米沟道长度MOS场效应晶体管的扩散-自对准技术

微米沟道长度的自对准离子注入MOS管中载流子速度饱和的影响

在饱和载流子速度条件下工作的MOS场效应器件的电特性

用其它绝缘衬底制作的硅MOS场效应器件作用特性分析

解析互补硅-蓝宝石MOS场效应晶体管及其制作步骤

分析P+P-P+深耗尽型硅-蓝宝石MOS场效应晶体管特性

硅-蓝宝石MOS场效应器件·的作用和性能分析

分析应用离子注入技术改变MOS场效应器件的观测阈电压

解析利用离子注入技术制作自对准栅极MOS管和集成电路

详解自对准硅栅MOS场效应晶体管和MOS集成电路特性及其曲线