四端MOS结构通用电荷薄层模型解析在本节中，我们要推导一个适用于所有工作区的漏端电流表达式。标题中的通用二字就是对这一广泛适用性而言的。电荷薄层这一术语是指这一模型中的基本假设，即反型层具有无限小的厚度①。因为注意到在第2和第3章中已经作了这一假设，所以可把第2、3章中的表达式用到现在的推导中来。下面我们将要介绍的这种模型已在若干参考文献[53，54,56-59]中导出，但是我们的推导方法将更简单
四端MOS结构通用电荷薄层模型解析在本节中，我们要推导一个适用于所有工作区的漏端电流表达式。标题中的通用二字就是对这一广泛适用性而言的。电荷薄层这一术语是指这一模型中的基本假设，即反型层具有无限小的厚度①。因为注意到在第2和第3章中已经作了这一假设，所以可把第2、3章中的表达式用到现在的推导中来。下面我们将要介绍的这种模型已在若干参考文献[53，54,56-59]中导出，但是我们的推导方法将更简单
四端MOS结构晶体管的工作区及其特性解析晶体管的工作区一个NMOS晶体管的典型的直流电流-电压特性曲线簇示于图4.3a和b，它们分别对应于图4.2a和图4.2b。这些曲线中的细节问题将在以后讨论。一般情况下，漏端电流ID以一种复杂的方式依赖于端电压。但是在端电压的某种组合下，有可能作些简化，因而可导出相对简单的电流表达式。预先考虑到这一点，所以，我们将如表4.1中所说明的那样定义晶体管的工作区。这
四端MOS结构晶体管的工作区及其特性解析晶体管的工作区一个NMOS晶体管的典型的直流电流-电压特性曲线簇示于图4.3a和b，它们分别对应于图4.2a和图4.2b。这些曲线中的细节问题将在以后讨论。一般情况下，漏端电流ID以一种复杂的方式依赖于端电压。但是在端电压的某种组合下，有可能作些简化，因而可导出相对简单的电流表达式。预先考虑到这一点，所以，我们将如表4.1中所说明的那样定义晶体管的工作区。这
四端MOS结构基本特性及作用结构分析在第3章中的结构上再加上一端，从而使反型层在两个相对的末端处可与外界接触，这样便得到了四端MOS晶体管。在这两末端之间加上一个电压，就可在反型层中引起电流流动。由于用来导电的载流子的数目取决于栅端的电势，故当用于数字电路时，栅端电势可用来建立或消除反型层（也就是说，使器件“导通”或“截止”）；当用于模拟电路时，栅端电势可用来连续地调制器件的导电性。MOS晶体管的
四端MOS结构基本特性及作用结构分析在第3章中的结构上再加上一端，从而使反型层在两个相对的末端处可与外界接触，这样便得到了四端MOS晶体管。在这两末端之间加上一个电压，就可在反型层中引起电流流动。由于用来导电的载流子的数目取决于栅端的电势，故当用于数字电路时，栅端电势可用来建立或消除反型层（也就是说，使器件“导通”或“截止”）；当用于模拟电路时，栅端电势可用来连续地调制器件的导电性。MOS晶体管的
关于三端MOS结构-中反型界限的精确定义①在要求精确的情况下，中反型区的界限点可比3.2节中更为仔细地加以定义。得出这种精确定义的推理与2.7节中对二端结构的讨论相同，这里毋须重复。这种精确定义基本上是把中反型的开始点置于这样一点上，高于此点，图3.2c中曲线的斜率开始明显变化。与此类似，把中反型区的上限点置于这样一点上，在该点之下，图3.2d中曲线的斜率开始明显变化。相应的表面势的界限值ΦM和
关于三端MOS结构-中反型界限的精确定义①在要求精确的情况下，中反型区的界限点可比3.2节中更为仔细地加以定义。得出这种精确定义的推理与2.7节中对二端结构的讨论相同，这里毋须重复。这种精确定义基本上是把中反型的开始点置于这样一点上，高于此点，图3.2c中曲线的斜率开始明显变化。与此类似，把中反型区的上限点置于这样一点上，在该点之下，图3.2d中曲线的斜率开始明显变化。相应的表面势的界限值ΦM和
三端MOS结构弱反型特性函数形式现象分析对于一给定的VCB值，弱反型区定义为（图3.2）：在这一区内，有现在来考虑式（3.2.6）。该式中第一个根号下的第二项的值是不大的，这是因为在弱反型区，ψs ΦM然（图3.2），并且从式（3.4.2）可知，ΦM=2ΦF+VCB。因此，和导出二端结构的式（2.5.33）一样，可以用泰勒级数展开求得Q´I：我们要提醒读者，在弱反型区内，VCB不能解释为有效反向偏
三端MOS结构弱反型特性函数形式现象分析对于一给定的VCB值，弱反型区定义为（图3.2）：在这一区内，有现在来考虑式（3.2.6）。该式中第一个根号下的第二项的值是不大的，这是因为在弱反型区，ψs ΦM然（图3.2），并且从式（3.4.2）可知，ΦM=2ΦF+VCB。因此，和导出二端结构的式（2.5.33）一样，可以用泰勒级数展开求得Q´I：我们要提醒读者，在弱反型区内，VCB不能解释为有效反向偏
三端MOS结构中反型的一般关系式解析三端MOS结构中反型在图3.2中可见，对于一给定的VCB值，中反型定义为[9]与二端结构情况一样，对于中反型区未曾进行过合适的简化，故应该采用精确公式。对于一给定的ψs值，Q´I和VGB可从式（3.2.6）和（3.2.7b）求出，于是曲线Q´I（VGB）便可绘出。联系方式：邹先生联系电话：0755-83888366-8022手机：18123972950QQ：28
三端MOS结构中反型的一般关系式解析三端MOS结构中反型在图3.2中可见，对于一给定的VCB值，中反型定义为[9]与二端结构情况一样，对于中反型区未曾进行过合适的简化，故应该采用精确公式。对于一给定的ψs值，Q´I和VGB可从式（3.2.6）和（3.2.7b）求出，于是曲线Q´I（VGB）便可绘出。联系方式：邹先生联系电话：0755-83888366-8022手机：18123972950QQ：28
三端MOS结构强反型区及其特性作用解析三端MOS结构强反型从图3.2可见，对于给定的VCB值，强反型定义为：精确计算指出，虽然在深度强反型区内|Q´I|≥|Q´B|，但对于十分接近VGBH的VGB值，Q´I可大于或小于Q´B（Q´I应为|Q´I|，Q´B应为|Q´B|——译者），这取决于衬底的掺杂浓度和氧化层的厚度。决定三端结构在强反型时的真正特性的不是|Q´I|和|Q´B|值的相对大小，而是它们
三端MOS结构强反型区及其特性作用解析三端MOS结构强反型从图3.2可见，对于给定的VCB值，强反型定义为：精确计算指出，虽然在深度强反型区内|Q´I|≥|Q´B|，但对于十分接近VGBH的VGB值，Q´I可大于或小于Q´B（Q´I应为|Q´I|，Q´B应为|Q´B|——译者），这取决于衬底的掺杂浓度和氧化层的厚度。决定三端结构在强反型时的真正特性的不是|Q´I|和|Q´B|值的相对大小，而是它们
三端MOS结构反型区及其近似界限分析近似界限对于二端MOS结构，我们已用式（2.5.8）至（2.5.10）所给出的表面势值ΦL0、ΦM0和ΦH0分别定义了弱、中和强反型的开始点。基于3.2节的讨论，用如下的表面势值相应地定义三端结构的这些开始点是合理的：其中最后一式中的Φz为几个Φt，因此ψs大于ΦH后，表面势相对恒定①（见图3.2a）。并且相应的Q´I（VGB）曲线（见图2.2d）基本上为一直线
三端MOS结构反型区及其近似界限分析近似界限对于二端MOS结构，我们已用式（2.5.8）至（2.5.10）所给出的表面势值ΦL0、ΦM0和ΦH0分别定义了弱、中和强反型的开始点。基于3.2节的讨论，用如下的表面势值相应地定义三端结构的这些开始点是合理的：其中最后一式中的Φz为几个Φt，因此ψs大于ΦH后，表面势相对恒定①（见图3.2a）。并且相应的Q´I（VGB）曲线（见图2.2d）基本上为一直线
三端MOS结构体效应特性及其作用分析体效应根据上清楚可见，增加VCB将会减弱反型程度，除非把VGB也增加一适当值。且结果是，若要保持反型程度不变，VGB的增加量必须大于VCB的增加量。这一现象称为体效应或衬底效应。本节中，我们将试图提供关于体效应的直观知识。定量结果将在讨论各反型区分界点的后续各节中给出。讨论上述效应最好借助于图3.1d。体效应实际上与下面的事实有关：若图3.1d中所连接的VcB增
三端MOS结构体效应特性及其作用分析体效应根据上清楚可见，增加VCB将会减弱反型程度，除非把VGB也增加一适当值。且结果是，若要保持反型程度不变，VGB的增加量必须大于VCB的增加量。这一现象称为体效应或衬底效应。本节中，我们将试图提供关于体效应的直观知识。定量结果将在讨论各反型区分界点的后续各节中给出。讨论上述效应最好借助于图3.1d。体效应实际上与下面的事实有关：若图3.1d中所连接的VcB增
三端MOS结构及其与反型层接触解析与反型层接触假定在基本的MOS二端结构中加上一个n+区，从而得到如图3.1a所示的结构；在未作进一步说明之前，假设VGB为常数。现在来考虑n+区与衬底形成的n+p结。如图所示，p侧耗尽区包含有电离了的受主原子，n+材料中的耗尽区含有电离了的施主原子（见图1.15），因为它很狭窄，为简单起见，图中没有画出。如1.5节所指出的，可以把n+区端与衬底短路而不改变此结构，
三端MOS结构及其与反型层接触解析与反型层接触假定在基本的MOS二端结构中加上一个n+区，从而得到如图3.1a所示的结构；在未作进一步说明之前，假设VGB为常数。现在来考虑n+区与衬底形成的n+p结。如图所示，p侧耗尽区包含有电离了的受主原子，n+材料中的耗尽区含有电离了的施主原子（见图1.15），因为它很狭窄，为简单起见，图中没有画出。如1.5节所指出的，可以把n+区端与衬底短路而不改变此结构，
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